Bu yılın başlarında Samsung grafik kartlar için “10nm sınıfı” GDDR6 bellek yongaları üretmeye başladı. Şimdi ise şirket artık sektörün gelecek nesil telefonları için ilk 8 gigabit LPDDR5 yongasını üretmeye başladı.
Not: “10nm sınıfı” 10nm ve 20nm arasında anlamına gelir. Bu yüzden gerçek bir 10nm değildir.
Bu çipler 4,426 Mbps’de LPDDR4X olup mevcut üst çipler üzerinde % 50 iyileşme, 6.400Mbps’e kadar da transfer oranları vaat ediyor. Bu hız yongalar için 1.1V güç verildiğinde elde edilebilir. Daha düşük güç tüketimi için 5,500Mbps’de 1.05V modu kullanılabilir.
Direnç sabit değildir ancak çalışma hızına göre değişir. Derin uyku modunun LPDDR4X’in yaklaşık yarısı kadar güçlü olması gerekiyor. Bu nedenle genel kullanımda % 30’luk bir güç tasarrufu bekleniyor.
Samsung bu yongaların yüksek bant genişliğinin AI destekli uygulamalar ve 5G özellikli telefonlar için kullanılmasını bekliyor.
Samsung ve diğer lider çip satıcıları sekiz adet LPDDR5 yongası ile 8GB RAM paketini çoktan test ettiler. Ayrıca Samsung yeni RAM’ini ise Pyeongtaek, Kore tesisinde üreteceği de kesinleşti.
